[发明专利]用于超高真空系统的可控低温汞蒸气源在审
| 申请号： | 201610016143.0 | 申请日： | 2016-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN105698151A | 公开（公告）日： | 2016-06-22 |
| 发明（设计）人： | 刘亢亢;徐震;刘洪力;孙剑芳;王育竹 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | F22B3/00 | 分类号： | F22B3/00 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 张泽纯;张宁展 |
| 地址： | 201800 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种用于超高真空系统的可控低温汞蒸气源。汞杯底部与多级半导体制冷片(TEC)顶部粘接，TEC底部与热沉顶部粘接，热沉通过通水法兰安装在超高真空系统上。汞杯侧壁粘有温度传感器，温度传感器和TEC通过Feedthrough与外部实现电气连接。汞杯中盛有单质汞，汞蒸气可扩散到整个真空系统内部。本发明实现对超高真空系统内部汞蒸气密度的控制。TEC通电时，汞杯得到制冷，产生热量传递给热沉，冷却水通过通水法兰进入热沉内部带走热量。由于温度降低，汞杯内的单质汞对应的饱和蒸气压降低，从而使真空系统内汞蒸气密度降低。温度传感器可检测汞杯温度，控制TEC电流即可控制系统内汞蒸气密度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 超高 真空 系统 可控 低温 蒸气 | ||
【主权项】：
一种用于超高真空系统的可控低温汞蒸气源，其特征为：包括内盛装有单质汞、且外表面粘贴温度传感器(7)的汞杯(1)、真空多级TEC(2)、中空热沉(3)具有进水口及出水口的通水法兰(4)、进水管(5)和出水管(6)；所述的汞杯(1)的底部和TEC(2)的顶部通过真空胶粘接，TEC(2)的底部和热沉(3)的顶部用真空胶粘接，热沉(3)底部通过通水法兰(4)固定在所述的超高真空系统的腔体(9)上，所述的进水管(5)的一端通过通水法兰(4)的进水口伸入中空热沉(3)中，所述的出水管(6)的一端通过通水法兰(4)的出水口伸入中空热沉(3)中，所述的温度传感器(7)与所述的超高真空系统的连接线法兰相连(8)。
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