[发明专利]单根一维纳米材料散射光谱的显微成像测量方法及装置在审
| 申请号： | 201610016162.3 | 申请日： | 2016-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN105424617A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 赵建林;尚武云;姜碧强;肖发俊 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | G01N21/27 | 分类号： | G01N21/27 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710072 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单根一维纳米材料散射光谱的显微成像测量方法及装置，其特征在于：在基于迈克耳孙干涉仪的测量光路中引入一个由双显微物镜构成的显微成像装置，收集来自单根一维纳米材料的微弱散射光信号进行成像和探测。第一激光器输出的探测光和第二激光器输出的参考光同时进入迈克耳孙干涉仪，迈克耳孙干涉仪输出的参考光经过反射镜到达第一探测器，迈克耳孙干涉仪输出的探测光依次经过显微成像装置、凸透镜到达第二探测器。本发明提出的方法及装置，综合了显微成像技术和傅里叶变换光谱技术的优势，在测量单根一维纳米材料散射光谱的同时，还可以确定单根一维纳米材料的位置，具有高分辨率、高灵敏度和高信噪比的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 单根一维 纳米 材料 散射 光谱 显微 成像 测量方法 装置 | ||
【主权项】：
一种单根一维纳米材料散射光谱的显微成像测量方法，其特征在于步骤如下：步骤1：在基于迈克耳孙干涉仪的测量光路中引入一个由双显微物镜构成的显微成像装置，收集来自单根一维纳米材料的微弱散射光信号进行成像和探测；步骤2：显微成像装置输出的散射光由电荷耦合器件(CCD)接收，得到散射光的强度分布图像；步骤3：观察散射光的强度分布图像，调节待测样品的位置，将会聚光投射到单根一维纳米材料上，根据调节变化量可以确定单根一维纳米材料的位置；步骤4：显微成像装置输出的散射光由光电探测器接收，进而利用傅里叶变换光谱技术获得单根一维纳米材料的散射光谱。
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