[发明专利]一种氮化物单晶生长装置及方法有效

专利信息
申请号: 201610017711.9 申请日: 2016-01-11
公开(公告)号: CN105442046B 公开(公告)日: 2018-01-23
发明(设计)人: 巫永鹏;罗睿宏;陈蛟;张国义 申请(专利权)人: 东莞市中镓半导体科技有限公司;北京大学东莞光电研究院
主分类号: C30B29/40 分类号: C30B29/40;C30B9/12
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 523518 *** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种氮化物单晶生长装置和方法,包括反应釜,反应釜内填充反应物溶液,反应釜内设置有晶种支撑装置,该支撑装置完全浸没于反应物溶液中。其特征在于,所述反应釜内设有特殊结构体的晶种支撑装置,晶种模板设置于支撑装置内部,反应物溶液通过晶种支撑装置侧面多孔流入,通过引流装置上下底面多孔流出。本发明有效克服传统反应釜反应物溶液流动无序的问题,有效提高晶体质量。
搜索关键词: 一种 氮化物 生长 装置 方法
【主权项】:
一种氮化物单晶生长装置,包括反应釜,反应釜内设置的晶种支撑装置,及连动装置,其特征在于,所述晶种支撑装置为多孔的空心壳体结构,表面通孔与空心壳体内部连通,侧面通孔具有挡片。
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