[发明专利]集成电容器的方法和设备在审
| 申请号： | 201610017973.5 | 申请日： | 2016-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN105789187A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 单建安;伍荣翔;方向明 | 申请（专利权）人： | 香港科技大学 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 顾丽波;李荣胜 |
| 地址： | 中国香港*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 本发明公开了集成电容器的方法和设备。集成电容器可制造为由沟槽形成的两个电极以获得低电阻。根据一个实施例，电容器可包括：第一沟槽电极、一个或多个电介质层以及第二沟槽电极。可在不同的沟槽中制造第一沟槽电极和第二沟槽电极，以改善集成电容器的电容密度和电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 电容器 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种设备，包括：衬底，其包括电介质层；第一电极，其包括形成在所述衬底的第一沟槽中的导电材料，其中所述电介质层位于所述第一电极与所述衬底之间；以及第二电极，其包括形成在所述衬底的第二沟槽中的导电材料，其中所述电介质层位于所述第二电极与所述衬底之间。
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