[发明专利]制备高效铜铟镓硒太阳能电池的钠钾共掺杂技术在审
| 申请号： | 201610018154.2 | 申请日： | 2016-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN105632903A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 刘德昂;钱磊;章婷;冯宗宝;欧阳 | 申请（专利权）人： | 苏州瑞晟纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;H01L21/225;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及制备高效铜铟镓硒太阳能电池的钠钾共掺杂技术，铜铟镓硒(简称CIGS)薄膜太阳能电池由于其诸多优点，成为最有发展潜力的太阳能电池技术。在CIGS太阳能电池制备过程中，碱金属离子的掺杂可以提高电池的光电转换效率,本专利提出一种新的技术，在CIGS吸收层中共同掺杂钠离子和钾离子，从而进一步提高CIGS太阳能电池的光电转换效率。本专利还提出了四种技术方案来实现钠离子和钾离子的共同掺杂，适合于不同的CIGS吸收层沉积技术。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 高效 铜铟镓硒 太阳能电池 钠钾共 掺杂 技术 | ||
【主权项】：
本专利提出一种在铜铟镓硒(CIGS)太阳能电池的CIGS吸收层中共同掺杂钠离子和钾离子的技术，可以提高铜铟镓硒薄膜太阳能电池的光电转换效率。本专利还提出了四种技术方案来实现钠离子和钾离子的共同掺杂，适合于不同的CIGS吸收层沉积技术。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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