[发明专利]一种解码型垂直栅3D NAND及其形成方法

摘要

本发明公开了一种解码型垂直栅3D NAND及其形成方法，该方法包括步骤：提供衬底；在衬底形成一层或多层半导体层；刻蚀一层或多层半导体层以形成多个沟槽；在多个沟槽内和横跨多个沟槽的顶部形成栅极结构；横跨多个沟槽的顶部形成多晶硅层；对栅极结构刻蚀多个栅极材料填充孔，对多晶硅层刻蚀源极材料填充孔；在源极材料填充孔和多个栅极材料填充孔内淀积电极材料。本发明具有如下优点：具有比BICS结构更好的竖直方向拓展潜力，层数的增加对于单个存储管的性能的影响相比垂直沟道的三维存储器小得多，而且这种结构在工艺上也更简便，减少了深沟刻蚀这一复杂耗时的步骤，整个工艺与目前的工艺技术完全兼容。

主权项

1.一种解码型垂直栅3D NAND形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底之上形成第一隔离层；在所述第一隔离层之上形成一层或多层半导体层；刻蚀所述一层或多层半导体层以形成多个沟槽，所述多个沟槽延伸至所述第一隔离层的顶部表面；对所述多个沟槽的淀积二氧化硅形成二氧化硅隧穿层；在所述二氧化硅隧穿层之上淀积氮化硅电荷俘获层和二氧化硅阻挡层；在所述多个沟槽内和横跨所述多个沟槽的顶部的所述二氧化硅阻挡层之上形成栅极结构；横跨所述多个沟槽的顶部的所述二氧化硅阻挡层之上形成多晶硅层；对所述栅极结构刻蚀多个栅极材料填充孔，所述多个栅极材料填充孔延伸至所述第一隔离层的顶部表面，对所述多晶硅层刻蚀源极材料填充孔，所述源极材料填充孔延伸至所述第一隔离层的顶部表面；在所述源极材料填充孔和所述多个栅极材料填充孔内淀积电极材料。