[发明专利]利用拉曼光谱测量非化学计量比氧化膜微区应力的方法

摘要

本发明公开一种利用拉曼光谱测量非化学计量比氧化膜微区应力的方法，包括：(1)在无应力条件下，利用拉曼光谱对不同化学计量比粉体材料进行测量，建立特征拉曼峰强比R与晶格振动峰位ω₀的关系曲线；(2)分析待测薄膜的拉曼光谱数据，得到特征拉曼峰强比R′和拉曼晶格振动峰位置ω_p，然后根据R′的值利用关系曲线得到对应的ω’₀；(3)对粉体材料进行高压拉曼实验，得到晶格振动峰位与应力之间的关系k’₁；(4)代入公式σ＝k’₁(ω_p-ω’₀)，得到待测薄膜的应力值。本发明可使拉曼光谱法推广到测量非化学计量比氧化膜的内应力，实现这类薄膜原位、无损的微区内应力测量，准确度较现有的拉曼光谱测量应力方法有大幅的提高。

主权项

利用拉曼光谱测量非化学计量比氧化膜微区应力的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在无应力条件下，利用拉曼光谱对不同化学计量比粉体材料进行测量，建立特征拉曼峰强比R与晶格振动峰位ω₀的关系曲线，得到不同化学计量比材料在无应力条件下的晶格振动峰位置ω₀；(2)分析待测薄膜的拉曼光谱数据，分别得到待测包膜的特征拉曼峰强比R′和拉曼晶格振动峰位置ω_p，然后根据R′的值，利用步骤(1)中的关系曲线，得到对应的ω’₀；(3)对步骤(1)中的粉体材料进行高压拉曼实验，得到晶格振动峰位与应力之间的关系k’₁；(4)将所得到的数据代入到公式：σ＝k’₁(ω_p‑ω’₀)，得到待测薄膜的应力值σ。