[发明专利]一种LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201610018531.2 | 申请日： | 2016-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN105514245A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 李庆;张广庚;陈立人 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种LED芯片,所述LED芯片包括：衬底；位于所述衬底上的半导体外延层，包括N型半导体层、发光层及P型半导体层；与所述P型半导体层电性导通的P电极以及与所述N型半导体层电性导通的N电极；所述半导体外延层中形成有呈封闭型的绝缘层，所述P电极全部位于所述绝缘层内的半导体外延层上方，所述绝缘层外部的P型半导体层与P电极电性导通。所述绝缘层呈封闭状，并且所述P电极全部位于所述绝缘层内的半导体外延层上方，因此，所述绝缘层内的外延层失效，削弱了P电极的吸光，增强了发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片,其特征在于：所述LED芯片包括：衬底；位于所述衬底上的半导体外延层，包括N型半导体层、发光层及P型半导体层；与所述P型半导体层电性导通的P电极以及与所述N型半导体层电性导通的N电极；所述半导体外延层中形成有呈封闭型的绝缘层，所述P电极全部位于所述绝缘层内的半导体外延层上方，所述绝缘层外部的P型半导体层与P电极电性导通。
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