[发明专利]一种用于测量深低温强磁场下样品光致发光的系统在审

专利信息
申请号: 201610019745.1 申请日: 2016-01-13
公开(公告)号: CN105510282A 公开(公告)日: 2016-04-20
发明(设计)人: 吕蒙;俞国林;林铁;褚君浩 申请(专利权)人: 中国科学院上海技术物理研究所
主分类号: G01N21/63 分类号: G01N21/63
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 郭英
地址: 200083 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种用于测量深低温强磁场下样品光致发光光谱的系统,测量系统主要由光纤激光器、光纤组件、光纤、真空密封接头、O型圈、螺母、待测样品、磁输运样品室、光谱仪和测试分析计算机等组成。该测量系统的主要特征在于利用光纤组件在深低温、强磁场环境中对样品进行光致发光测试,实现了光致发光测试与深低温、强磁场输运测量的结合。
搜索关键词: 一种 用于 测量 低温 磁场 样品 光致发光 系统
【主权项】:
一种用于测量深低温强磁场下样品光致发光光谱的系统,包括:光纤激光器(101)、光纤组件A(102)、光纤I(103)、真空密封接头(104)、O型圈(105)、螺母(106)、待测样品(107)、光纤II(108)、磁输运样品室(109)、光纤组件B(110)、光谱仪(111)和测试分析计算机(112),其特征在于:所述的光纤组件A(102)两端通过光纤接头分别与光纤激光器(101)和光纤I(103)连接;所述的光纤I(103)左端通过光纤接头与光纤组件A(102)连接,右端穿过真空密封接头(104)进入磁输运样品室(109)后对准待测样品(107);所述的光纤II(108)左端通过光纤接头与光纤组件B(110)连接,右端穿过真空密封接头(104)进入磁输运样品室(109)后对准待测样品(107);真空密封接头(104)为圆形,内有剥去外皮仅留中心石英部分的光纤I(103)和光纤II(108)穿过,当中采用密封胶固定和密封;真空密封接头(104)穿过磁输运样品室(109),一部分位于磁输运样品室(109)外并有沟槽,O型圈(105)套进真空密封接头(104)内并处于真空密封接头(104)沟槽里,O型圈(105)露出沟槽的部分贴于磁输运样品室(109)外壁,真空密封接头(104)处于磁输运样品室(109)之内的部分上有螺纹,螺丝(106)拧进螺纹并贴紧磁输运样品室(109)外壁,起固定和真空密封作用;待测样品(107)平放于磁输运样品室(109)底端超导线圈内;调整待测样品(107)位置以及光纤I(103)、光纤II(108)下端对准待测样品(107)的角度,使得光纤I(103)发出的激光入射到待测样品(107)上,所激发的光致发光被光纤II(108)所接收;光纤组件B(110)两端通过光纤接头分别与光谱仪(111)和光纤II(108)连接;光谱仪(111)连接到测试分析计算机(112),从而记录、分析得到的光谱信息。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海技术物理研究所,未经中国科学院上海技术物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610019745.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top