[发明专利]一种草酸促进光催化半导体硫化矿物细菌浸出的方法有效
| 申请号： | 201610019929.8 | 申请日： | 2016-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN105648212B | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 朱建裕;杨宝军;甘敏;宋子博;刘学端;胡岳华;丘冠周 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | C22B3/18 | 分类号： | C22B3/18;C22B15/00;C12N1/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种草酸促进光催化半导体硫化矿物细菌浸出的方法，属于生物冶金技术领域。嗜酸铁硫氧化细菌在添加0.01‑0.2g/L草酸，光照条件下浸出半导体硫化矿物。草酸能够与氧化性光生空穴反应，增加光生电子的利用率，进而显著增加半导体硫化矿物浸出率。光强6000 Lux‑8500 Lux添加0.01‑0.2g/L草酸的浸出结果与光强0 Lux不添加草酸的浸出结果比较，其浸出率增加了30.4‑42.7%，与光强6000 Lux‑8500 Lux不添加草酸的浸出结果比较，其浸出率增加了5.3‑15.3%。本发明的方法能够提高光催化效率，从而显著提高半导体硫化矿物浸出率，使得半导体硫化矿物更具有综合利用价值以及实现半导体硫化矿物作为光催化剂在生物浸矿领域上的应用具有重大意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 草酸 促进 光催化 半导体 硫化 矿物 细菌 浸出 方法 | ||
【主权项】：
1.一种草酸促进光催化半导体硫化矿物细菌浸出的方法，其特征在于包括以下步骤：（1）嗜酸铁硫氧化细菌的驯化和培养；（2）将步骤（1）中培养好的嗜酸铁硫氧化细菌进行收集，并将其接入200‑400目的含铁硫半导体硫化矿物体系中，在光照条件下进行浸出；（3）在含半导体硫化矿物和嗜酸铁硫细菌浸出体系中分批投加草酸溶液。
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