[发明专利]一种基于氟化锂/聚乙烯醇交替薄膜的有机半导体器件薄膜封装技术有效
| 申请号： | 201610021166.0 | 申请日： | 2016-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN105514274B | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 彭应全;丁思晗;温占伟;吕文理;王颖 | 申请（专利权）人： | 中国计量学院 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于氟化锂/聚乙烯醇交替薄膜的有机半导体器件薄膜封装技术，其特征在于，首先制备氟化锂缓冲层(6)，然后依次制备聚乙烯醇(701)/氟化锂(702)交替封装薄膜。本专利薄膜封装技术通过如下的步骤实现：①在有机半导体器件(5)之上采用真空热蒸发的方式沉积氟化锂缓冲层，其尺度适当，以使待封装有机半导体器件的电极(2和4)露在外面，而其有机半导体活性层(3)被完全封装在里面；②在氟化锂缓冲层上用旋涂法制备聚乙烯醇封装层；③进行干燥处理；④在聚乙烯醇封装层上采用真空热蒸发的方式沉积氟化锂封装层；⑤重复上述步骤②‑④，直至在氟化锂封装层上再制备第(N‑1)层的聚乙烯醇/氟化锂交替薄膜(NO)；⑥在200℃温度下对封装器件加热2小时，对聚乙烯醇进行交联。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氟化 聚乙烯醇 交替 薄膜 有机 半导体器件 封装 技术 | ||
【主权项】：
1.一种基于氟化锂/聚乙烯醇交替薄膜的有机半导体器件薄膜封装方法，其特征在于，首先制备氟化锂缓冲层，然后依次制备聚乙烯醇封装层和氟化锂封装层；其中氟化锂缓冲层覆盖于有机光电子器件之上，第一聚乙烯醇封装层覆盖于氟化锂缓冲层之上，第一氟化锂封装层覆盖于第一聚乙烯醇封装层之上，氟化锂封装层和聚乙烯醇封装层不断交替重叠至第N氟化锂封装层，N为大于等于1的整数；制备方法包括以下步骤：①在有机半导体器件之上采用真空热蒸发的方式沉积氟化锂缓冲层，其尺度适当，以使待封装有机半导体器件的电极露在外面，而其有机半导体活性层被完全封装在里面；②在氟化锂缓冲层上用旋涂法制备聚乙烯醇封装层；③进行干燥处理；④在聚乙烯醇封装层上采用真空热蒸发的方式沉积氟化锂封装层；⑤重复上述步骤②‑④，直至在氟化锂封装层上再制备(N‑1)层的聚乙烯醇/氟化锂交替薄膜；⑥在200℃温度下对封装器件加热2小时，对聚乙烯醇进行交联。
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