[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201610021314.9 | 申请日： | 2016-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN105789297B | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 富田英幹;兼近将一;上田博之 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 苏萌萌;范文萍 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置。在利用GaN的电子传输层与AlGaN等的电子供给层的异质结的半导体装置中，虽然能够通过在电子供给层与栅电极之间形成p型层而成为常闭，但在局部的范围内形成p型层时电子供给层的表面粗糙，从而电阻较高。使在对在源极电极与p型层之间露出的电子供给层的表面和在漏极电极与p型层之间露出的电子供给层的表面进行覆盖的绝缘层带正电。在异质结面处感生出的二维电子气浓度上升，从而导通电阻降低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：异质结结构，其具有由GaN形成的电子传输层与由Inx1Aly1Ga1‑x1‑y1N形成的电子供给层，其中，0≤x1≤1，0≤y1≤1，0≤1‑x1‑y1＜1；源极电极，其被设置在所述电子供给层的表面上；漏极电极，其被设置在所述电子供给层的表面上，并且被配置在从所述源极电极分离的位置处；Inx2Aly2Ga1‑x2‑y2N的p型层，其被设置在位于所述源极电极与所述漏极电极之间的所述电子供给层的表面上，其中，0≤x2≤1，0≤y2≤1，0≤1‑x2‑y2≤1；栅电极，其与所述p型层相接；绝缘层，其对在所述源极电极与所述p型层之间露出的所述电子供给层的表面和/或在所述漏极电极与所述p型层之间露出的所述电子供给层的表面进行覆盖，在所述绝缘层的至少一部分中固定有正电荷。
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