[发明专利]一种电子材料中钨元素含量的检测方法在审
| 申请号： | 201610021786.4 | 申请日： | 2016-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN106970069A | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 胡德霖;胡醇;费沁妮;赵杰;肖利军 | 申请（专利权）人： | 苏州电器科学研究院股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/73 | 分类号： | G01N21/73;G01N1/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215104 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种可以有效检测出电子材料中钨元素含量的方法。该方法是用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-OES)来分析测试的，被测的电子材料样品在前处理时需用配有高压消解罐的微波消解系统进行加酸消解。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子 材料 元素 含量 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种电子材料中钨元素含量的检测方法，其特征在于使用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP‑OES)测试电子材料中钨元素的含量。
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