[发明专利]一种通过调整SONOS字线读电压增加flash窗口的方法在审
| 申请号： | 201610024791.0 | 申请日： | 2016-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN105679368A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 刘凯;张可钢;陈华伦 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/30 | 分类号： | G11C16/30;G11C29/08 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种通过调整SONOS字线读电压增加flash窗口的方法，步骤1，使用测试程序对所有芯片进行VTP变化范围的测试；步骤2，使用测试程序对所有芯片进行VTE变化范围的测试；步骤3，按照不同的VTE范围进行区间分组，将VTE变化范围落入对应区间分组的芯片分入该组；步骤4，分别对不同的区间分组进行相应不同的SONOS字线读电压调整或者不调整，重新读取新的SONOS字线读电压，使所有分组的芯片的VTE值都向同一数值靠拢，分布收敛；步骤5，重新使用测试程序对所有芯片进行VTP变化范围的测试；步骤6，重新使用测试程序对所有芯片进行VTE变化范围的测试。本发明能够优化flash产品因为工艺波动导致的窗口漂移的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 调整 sonos 字线读 电压 增加 flash 窗口 方法 | ||
【主权项】：
一种通过调整SONOS字线读电压增加flash窗口的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，使用测试程序对所有芯片进行VTP变化范围的测试；步骤2，使用测试程序对所有芯片进行VTE变化范围的测试；步骤3，按照不同的VTE范围进行区间分组，将VTE变化范围落入对应区间分组的芯片分入该组；步骤4，分别对不同的区间分组进行相应不同的SONOS字线读电压调整或者不调整，并重新读取调整后的SONOS字线读电压，使所有分组的芯片的VTE值都向同一数值靠拢，分布收敛；步骤5，重新使用测试程序对所有芯片进行VTP变化范围的测试；步骤6，重新使用测试程序对所有芯片进行VTE变化范围的测试。
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