[发明专利]MOS器件及工艺方法在审
| 申请号： | 201610025265.6 | 申请日： | 2016-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN105679829A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 袁苑;陈瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOS器件，包含衬底及覆盖在衬底之上的多晶硅栅极，衬底中具有场氧，场氧之间具有轻掺杂源漏区，以及MOS器件的源区及漏区，源区及漏区之间为沟道区，多晶硅栅极和栅氧化层覆盖在沟道区之上，接触孔分别与源区及漏区接触将其引出；所述多晶硅栅极两侧具有双层侧墙，多晶硅栅极上方覆盖金属硅化物，但是在源漏区域不形成金属硅化物。所述的双侧侧墙高度高于金属硅化物。本发明通过在多晶硅栅极之上形成金属硅化物，降低栅极的方块电阻，提高器件的工作频率，同时在源漏区域不形成金属硅化物，有利于缩小器件的横向尺寸。本发明还公开了所述MOS器件的工艺方法。 | ||
| 搜索关键词： | mos 器件 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS器件，包含衬底及覆盖在衬底之上的多晶硅栅极，衬底中具有场氧，场氧之间具有轻掺杂源漏区，以及MOS器件的源区及漏区，源区及漏区之间为沟道区，多晶硅栅极和栅氧化层覆盖在沟道区之上，接触孔分别与源区及漏区接触将其引出；其特征在于：所述多晶硅栅极两侧具有双层侧墙，多晶硅栅极上方覆盖金属硅化物，源漏区域上不形成金属硅化物，所述的双侧侧墙高度高于金属硅化物。
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