[发明专利]碲镉汞材料的表面清洗方法在审
申请号: | 201610025472.1 | 申请日: | 2016-01-15 |
公开(公告)号: | CN105655237A | 公开(公告)日: | 2016-06-08 |
发明(设计)人: | 兰添翼;赵水平;刘诗嘉;王妮丽;徐国庆;朱龙源 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种碲镉汞材料的表面清洗方法,其包括对清洗液的选择和清洗步骤。针对碲镉汞表面存在的沾污,本发明选用MOS级三氯乙烯、溴-乙醇、清洗液a和清洗液b对碲镉汞表面进行清洗处理。另外,合理的清洗步骤能获得较好的清洗效果。首先,本发明对碲镉汞表面进行三氯乙烯的兆声清洗,目的是去除表面有机物。然后,对碲镉汞表面进行溴-乙醇腐蚀,目的是去除表面损伤和部分沾污。最后,先后使用清洗液a和清洗液b对碲镉汞表面进行兆声清洗,目的是去除表面离子沾污。本发明的优点是:对离子沾污的清洗效果显著,清洗效果稳定,引入新污染少。 | ||
搜索关键词: | 碲镉汞 材料 表面 清洗 方法 | ||
【主权项】:
一种碲镉汞材料的表面清洗方法,其特征在于清洗方法步骤如下:1)在室温条件下,将碲镉汞材料浸入MOS级三氯乙烯溶液,进行功率40~100W、频率750~950KHz的兆声清洗,清洗时间为3~10min;2)将碲镉汞材料浸入冰点的溴和乙醇混合液中,溴与乙醇体积比为1:(5~20),腐蚀时间为60~120s;3)在室温条件下,将碲镉汞材料浸入清洗液a进行兆声清洗,所述的清洗液a是氢氧化铵和双氧水的混合液,其体积比为:NH4OH:H2O2:H2O=(1~10):1:120,兆声功率为40~100W,兆声频率为750~950KHz,清洗时间为3~15min;4)在室温条件下,将碲镉汞材料浸入清洗液b进行兆声清洗,所述的清洗液b是盐酸和双氧水的混合液,其体积比为:HCl:H2O2:H2O=1:1:(5~15),兆声功率为40~100W,兆声频率为750~950KHz,清洗时间为10~20min;5)对碲镉汞材料进行氮气干燥。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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