[发明专利]一种超薄高纯陶瓷片及其制备工艺有效
申请号: | 201610025729.3 | 申请日: | 2016-01-15 |
公开(公告)号: | CN105693221B | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 张丹;王双喜;王文君;李少杰;黄永俊 | 申请(专利权)人: | 汕头大学 |
主分类号: | C04B35/10 | 分类号: | C04B35/10;C04B35/581;C04B35/622 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 温旭;张泽思 |
地址: | 515063 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种超薄高纯陶瓷片及其制备工艺,陶瓷片的陶瓷粉体为微米粉体和纳米粉体的混合体,纳米粉体占陶瓷粉体体积的10~30%;微米粉体的中位径不大于3.0µm;纳米粉体的中位径不大于0.2µm;微米粉体颗粒间相互接触,纳米粉体填充在微米粉体间的空隙。采用流延成型生带和固相烧结的制备工艺,以陶瓷粉体为浆料的固相,陶瓷粉体质量占浆料的65%以上;固相烧结的烧结温度比微米粉体的理论烧结温度低100℃以上。本发明采用微米粉体和纳米粉体的混合体作为陶瓷粉体,通过合理调控它们的体积比,在不添加助烧剂的情况下,实现降低煅烧温度;并通过提高固含量、降低烧结温度等工艺以制备表面平整的超薄陶瓷板,而且陶瓷片仍保持较好导热性能和不改变介电性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 超薄 高纯 陶瓷 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】:
1.一种超薄高纯陶瓷片,其特征在于,主要用于集成电路封装、LED基板,陶瓷片的陶瓷粉体为微米粉体和纳米粉体的混合体,所述纳米粉体占所述陶瓷粉体体积的10~30%;所述微米粉体的中位径不大于3.0μm;所述纳米粉体的中位径不大于0.2μm;所述微米粉体颗粒间相互接触,所述纳米粉体填充在所述微米粉体间的空隙,所述超薄高纯陶瓷片厚度为50~200μm。
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