[发明专利]半导体装置

摘要

提供：第一晶体管，包含沟道形成区域、第一栅极绝缘层、第一栅电极、以及第一源电极和第一漏电极；第二晶体管，包含氧化物半导体层、第二源电极和第二漏电极、第二栅极绝缘层、以及第二栅电极；以及电容器，包含第二源电极和第二漏电极中的一个、第二栅极绝缘层、以及提供为在第二栅极绝缘层之上与第二源电极和第二漏电极中的一个重叠的电极。第一栅电极以及第二源电极和第二漏电极中的一个彼此电连接。

主权项

1.一种半导体装置，包括：/n存储器单元，包括：/n第一晶体管，包括：/n作为源电极和漏电极中之一的第一导电层；/n作为所述源电极和所述漏电极中另一个的第二导电层；/n氧化物半导体层，电连接到所述第一导电层和所述第二导电层；/n在所述第一导电层、所述第二导电层和所述氧化物半导体层之上的第一绝缘层；以及/n在所述第一绝缘层之上的作为栅电极的第三导电层，其中所述第三导电层和所述氧化物半导体层彼此重叠；/n在所述第一绝缘层之上的第四导电层，其中所述第四导电层和所述第一导电层彼此重叠；和/n第二晶体管，所述第二晶体管的栅电极电连接到所述第一导电层，/n其中所述氧化物半导体层包括铟、镓和锌，/n其中所述氧化物半导体层包括所述第一晶体管的沟道形成区域，以及/n其中所述第一导电层和所述第四导电层彼此电绝缘以组成电容器。/n