[发明专利]一种磁控溅射制备立方氮化硼厚膜的方法有效
| 申请号： | 201610027359.7 | 申请日： | 2016-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN105568220B | 公开（公告）日： | 2018-01-02 |
| 发明（设计）人： | 殷红;赵艳;高伟;李英爱;李红东 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司22201 | 代理人： | 王恩远 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明的一种磁控溅射制备立方氮化硼厚膜的方法，属于超硬材料及其制备的技术领域。以硅片为衬底，以h‑BN或单质硼靶为溅射靶材，采用两步沉积法制备c‑BN厚膜。在Ar/N2混合气体气氛下先溅射第一层氮化硼膜，再通入H2，按质量流量计H2用量为气体总流量的4％～15％，保持衬底温度、调节衬底负偏压溅射第二层氮化硼膜。本发明的方法在不使用过渡层、加H2量较少的条件下，直接在硅衬底上获得立方相含量75％以上，甚至超过95％的c‑BN厚膜，膜厚可达4μm以上，其稳定性得到了显著提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁控溅射 制备 立方 氮化 硼厚膜 方法 | ||
【主权项】：
一种磁控溅射制备立方氮化硼厚膜的方法，以硅片为衬底，以六角氮化硼或单质硼靶为溅射靶材，先将衬底清洗干净；将清洗好的硅片放在磁控溅射真空室的样品台上，靶基间距为4～5cm，射频功率50～100W；其特征是，采用两步沉积法制备c‑BN厚膜；第一步沉积是将真空室的背底真空抽至1.0×10‑3Pa以上，引入Ar/N2混合气体达到工作气压2.0Pa，N2/Ar质量流量比为1∶2～6；在衬底温度300～500℃、衬底负偏压150V下开始溅射第一层氮化硼膜，生长时间1～2h；第二步沉积是在第一步沉积基础上通入H2，按质量流量计H2用量为气体总流量的4％～15％，保持衬底温度至300～500℃、调节衬底负偏压为0～150V，开始溅射第二层氮化硼膜，生长时间为2～15h。
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