[发明专利]一种制备金刚石晶体薄膜材料的装置和方法

摘要

本发明提供一种制备金刚石薄膜材料的装置和方法，属于金刚石薄膜技术领域。所述的装置包括：真空系统、热丝阵列、带石英管的CVD炉、电控部分。金刚石晶体薄膜的制备方法、步骤包括：硅片清洗、金刚石粉末研磨；在所述装置的热丝CVD炉中，气体为H₂、CH₄，通过去离子水的H₂的气氛下，生长得到金刚石晶体薄膜。本发明制备的金刚石晶体薄膜具有结晶度高、质量好，厚度均匀等特点。所述设备具有成本低、易于维护的特点。金刚石晶体薄膜的制备方法具有生长速度快、薄膜样品表面均匀，易实现工业生产等优点。

主权项

一种制备金刚石薄膜材料的装置，其特征在于，包括CVD炉(1)、石英管(2)，石英管(2)通过CVD炉(1)，所述石英管(2)中设置两根水平平行排列的钼棒(3)，钼棒(3)的一端与电控系统通过电线(4)相连，另一端设有热丝阵列，每根热丝(5)与钼棒用石墨螺丝(6)固定，石英管(2)两端密封，并在靠近电控系统一端设置进气管(7)，进气管(7)连接气体流量控制系统，另一端设置出气管(8)，出气管(8)连接真空系统。