[发明专利]一种氧化铜花状纳米结构材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201610027887.2 | 申请日： | 2016-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN105731517B | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 李志杰;王治国;王宁宁 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C01G3/02 | 分类号： | C01G3/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心51203 | 代理人： | 张杨 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于无机材料制备技术领域，具体涉及一种在陶瓷管上生长氧化铜(CuO)花状纳米材料的方法。本发明采用乙酸铜为铜源，以陶瓷管为载体，在碱性条件下，直接水热反应在陶瓷管上生长出氧化铜花状纳米结构材料。本发明制备氧化铜花状纳米结构材料由颗粒大小为50～80纳米颗粒组成的单层纳米薄片构成，其中颗粒之间相互沾连，颗粒之间有明显的孔隙，构成网络结构的薄片，纯度高，单相，花状结构整齐，直径为6～11微米。本发明不采用表面活性剂，生产工艺简单，可控性强；其结构使得在磁性材料、光吸收、传感器、超导材料、催化剂、热敏电阻、磁性存储、锂离子电池和生物医药领域有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化铜 纳米 结构 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化铜花状纳米结构材料，其特征在于：生长于陶瓷管上，为单相的氧化铜，花状结构整齐，直径为6～11微米，花状结构由颗粒大小为50～80纳米颗粒组成的单层纳米薄片构成，其中颗粒之间相互沾连，颗粒之间有明显的孔隙，构成网络结构的薄片。
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