[发明专利]全背型异质结太阳电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种全背型异质结太阳电池，包括硅基体层，其特征在于在硅基体层的前表面依次设置前N型表面场和减反层，在硅基体层的背表面设置本征非晶硅钝化层，在本征非晶硅钝化层上间隔地设置有P型非晶硅层和N型非晶硅层，P型非晶硅层和N型非晶硅层上分别设置有透明导电薄膜层，透明导电薄膜层上设置有电极，所述P型非晶硅层的厚度为5‑20nm，宽度为100‑1000μm，N型非晶硅层的厚度为5‑20nm，宽度为100‑1000μm，相邻的P型非晶硅层的中心点与N型非晶硅层的中心点间隔150‑3000μm，在所述P型非晶硅层与N型非晶硅层之间设置有绝缘隔离层。本发明还公开了一种全背型异质结太阳电池的制备方法。本发明可防止漏电流的产生，提升太阳电池的开路电压。

主权项

一种全背型异质结太阳电池，包括硅基体层，其特征在于：在硅基体层(1)的前表面依次设置N型前表面场(2)和减反层(3)，在硅基体层(1)的背表面设置本征非晶硅钝化层(4)，在本征非晶硅钝化层(4)上间隔地设置有P型非晶硅层(5)和N型非晶硅层(6)，P型非晶硅层(5)和N型非晶硅层(6)上分别设置有透明导电薄膜层(7)，透明导电薄膜层(7)上设置有电极，所述P型非晶硅层(5)的厚度为5‑20nm，宽度为100‑1000μm，N型非晶硅层(6)的厚度为5‑20nm，宽度为100‑1000μm，相邻的P型非晶硅层(5)的中心点与N型非晶硅层(6)的中心点间隔150‑3000μm，在所述P型非晶硅层(5)与N型非晶硅层(6)之间设置有绝缘隔离层(8)，所述绝缘隔离层(8)的厚度为60‑200nm，所述透明导电薄膜层(7)的厚度为60‑200nm，宽度为100‑1000μm。