[发明专利]功率半导体用封装散热Mo基片Ru涂层及其制备方法在审
| 申请号： | 201610030468.4 | 申请日： | 2016-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN105671502A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 陈敏;郭丽萍;许俊华 | 申请（专利权）人： | 江苏时代华宜电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16 |
| 代理公司： | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 林弘毅;聂汉钦 |
| 地址： | 214200 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率半导体用封装散热Mo基片Ru涂层及其制备方法。利用磁控溅射法在功率半导体用封装散热Mo基片上沉积Ru涂层，沉积时，真空度优于6.0×10-4Pa，以氩气起弧，固定溅射气压0.3Pa，溅射时间120min，Ru靶功率120W，通过改变制备过程中的负偏压获得不同负偏压的Ru薄膜。该方法制备的Ru涂层具有晶粒尺寸小，致密度高，缺陷少，膜基结合力高和耐蚀性能优异等优点。其最低表面粗糙度为0.639nm，最高膜基结合力为14.1N，最高点蚀电位差为0.7438V。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 封装 散热 mo ru 涂层 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种功率半导体用封装散热Mo基片上沉积的Ru涂层，其特征在于：所述Ru涂层的最低表面粗糙度为0.639nm，最高膜基结合力为14.1N，Ru涂层的点蚀电位均高于Mo衬底，Ru涂层的最高点蚀电位差为0.7438V。
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