[发明专利]一种P型氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201610031330.6 | 申请日： | 2016-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN105489656A | 公开（公告）日： | 2016-04-13 |
| 发明（设计）人： | 张新安;赵俊威;李爽;张伟风 | 申请（专利权）人： | 河南大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/24;H01L21/34 |
| 代理公司： | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人： | 牛爱周 |
| 地址： | 475004*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种P型氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，该薄膜晶体管包括重掺杂硅衬底，该重掺杂硅衬底同时作为栅电极使用；绝缘层，为绝缘氧化物膜，位于所述栅电极上；有源层，为P型铜铁矿结构氧化物膜，位于所述绝缘层上；源电极、漏电极，均为Cu膜，分别位于所述有源层上；P型铜铁矿结构氧化物膜的材料为CuAlO2、CuInO2或CuGaO2。P型铜铁矿结构氧化物膜作为有源层呈现稳定的P型半导体特性，使得其价带顶频带展宽，空穴迁移率高；该薄膜晶体管结构简单，制备工艺与微电子工艺兼容、化学稳定性好，具有很好的电学性质，在有机发光二极管显示和互补型氧化物半导体电子电路及透明电子电路中具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 半导体 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种P型氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于：包括：衬底，所述衬底为重掺杂硅衬底，该重掺杂硅衬底同时作为栅电极使用；绝缘层，为绝缘氧化物膜，位于所述栅电极上；有源层，为P型铜铁矿结构氧化物膜，位于所述绝缘层上；源电极、漏电极，均为Cu膜，分别位于所述有源层上；其中，所述P型铜铁矿结构氧化物膜的材料为CuAlO2、CuInO2或CuGaO2。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河南大学，未经河南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610031330.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种逆功率预测控制装置
- 下一篇：一种油罐油气回收装置
- 同类专利
- 专利分类
