[发明专利]一种高出光效率的深紫外发光二极管芯片及其制备方法

摘要

本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种高出光效率的倒装深紫外发光二极管芯片及芯片的制备方法。本发明提供的高出光效率倒装深紫外发光二极管芯片选择采用具有高紫外光反射性的Ni/Al材料作为p型电极材料，不但可以部分改善金属电极与p型GaN的欧姆接触性能，还可以将紫外光反射到蓝宝石面。本发明提供的高出光效率倒装深紫外二极管芯片的制备方法，把外延片蓝宝石衬底减薄到特定厚度，并蒸镀合适厚度的Al薄膜，通过TM模式紫外光与表面等离激元的耦合，部分提高倒装深紫外发光二极管芯片的表面出光效率。

主权项

一种高出光效率的倒装深紫外发光二极管芯片，其特征在于：该芯片结构从下向上的顺序依次为厚度为0.3‑0.5倍于芯片边长的c面蓝宝石衬底、低温AlN成核层、PALE AlN缓冲层、高温AlN本征层、n型Al_xGa_1‑xN层、Al_yGa_1‑yN/Al_zGa_1‑zN多量子阱层、p型Al_uGa_1‑uN电子阻挡层、p型GaN层、Ni/Al紫外光高反射率电极层，c面蓝宝石衬底背面设有Al薄膜。