[发明专利]制造具有鳍形图案的半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201610032156.7 | 申请日： | 2016-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN105826385B | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 刘庭均;朴世玩;都承右;朴寅源;成石铉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;崔卿虎 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种用于制造半导体器件的方法。所述方法包括以下步骤：在衬底上形成包括上部和下部的第一鳍形图案；通过去除第一鳍形图案的上部的一部分形成第二鳍形图案；在第二鳍形图案上形成与第二鳍形图案交叉的虚设栅电极；以及在形成虚设栅电极之后通过去除第二鳍形图案的上部的一部分形成第三鳍形图案，其中，第二鳍形图案的上部的宽度小于第一鳍形图案的上部的宽度并且大于第三鳍形图案的上部的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 具有 图案 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：在衬底上形成包括上部和下部的第一鳍形图案；通过去除所述第一鳍形图案的上部的一部分形成第二鳍形图案；在所述第二鳍形图案上形成与所述第二鳍形图案交叉的虚设栅电极；以及在形成所述虚设栅电极之后通过去除所述第二鳍形图案的上部的一部分来形成第三鳍形图案，其中，所述第二鳍形图案的上部在所述衬底的上表面上方的第一高度处的宽度小于所述第一鳍形图案的上部在所述第一高度处的宽度，并且大于所述第三鳍形图案的上部在所述第一高度处的宽度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610032156.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
