[发明专利]直接氮化法制备免研磨高纯全颗粒状氮化硅粉体的方法在审
| 申请号： | 201610032501.7 | 申请日： | 2016-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN105480957A | 公开（公告）日： | 2016-04-13 |
| 发明（设计）人： | 乔瑞庆 | 申请（专利权）人： | 沈阳工业大学 |
| 主分类号： | C01B21/068 | 分类号： | C01B21/068 |
| 代理公司： | 沈阳智龙专利事务所(普通合伙) 21115 | 代理人： | 周智博;宋铁军 |
| 地址： | 110870 辽宁省沈*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 直接氮化法制备免研磨高纯无纤维全颗粒状氮化硅粉体的方法,本发明采用纯度为99.990~99.999%，D50为800目~1000目的硅粉做为原料，采用99.999%的高纯氮气和99.999%的高纯氩气做为环境气氛。们所采取硅粉直接氮化工艺在有效控制氮化硅粉体形状的基础上，使得氮化硅粉体呈松散状，无需研磨可直接用作多晶硅的脱模剂，在满足脱模要求的基础上，降低了产品的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 直接 氮化 法制 研磨 高纯 颗粒状 硅粉体 方法 | ||
【主权项】：
直接氮化法制备免研磨高纯无纤维全颗粒状氮化硅粉体的方法，其特征在于: 本发明采用纯度为99.990~99.999%，D50为800目~1000目的硅粉做为原料，采用99.999%的高纯氮气和99.999%的高纯氩气做为环境气氛。
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