[发明专利]一种半导体芯片在审
| 申请号： | 201610033367.2 | 申请日： | 2016-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN105679905A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 黄晓东;陈锡园 | 申请（专利权）人： | 上海万寅安全环保科技有限公司;华鼎科技集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L23/552 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200031 上海市徐*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体芯片，包括衬底，依次生长在衬底上的N型层、发光层、P型层以及设置在N型层与P型层上的N电极和P电极，在所述衬底与N型层之间有溅镀的图形结构。所述衬底的材料是蓝宝石，所述图形结构的材料是Cu，所述溅镀采用脉冲电源进行，操作电压介于400伏特至700伏特之间。所述半导体芯片相对于现有技术使用了比ITO 透明电极相对廉价的导电材料铜，具有高抗冲击性和低总电阻的性能，因而具有高可视度以及成本竞争力，可大幅度节约生产成本，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 芯片 | ||
【主权项】：
一种半导体芯片，其特征在于，包括衬底，依次生长在衬底上的N型层、发光层、P型层以及设置在N型层与P型层上的N电极和P电极，在所述衬底与N型层之间有溅镀的图形结构，所述衬底的材料是蓝宝石，所述图形结构的材料是Cu，所述溅镀采用脉冲电源进行，操作电压介于400伏特至700伏特之间。
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