[发明专利]相变化记忆体及其制造方法有效
| 申请号： | 201610034388.6 | 申请日： | 2016-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN105489759B | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 吴孝哲;陶义方;王博文 | 申请（专利权）人： | 江苏时代全芯存储科技有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 223001 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭露一种相变化记忆体及其制造方法。制造相变化记忆体的方法包括以下操作(i)形成第一导电接触结构贯穿第一介电层；(ii)形成图案化加热材料层覆盖第一导电接触结构的顶面及部分的第一介电层；(iii)形成第二介电层覆盖图案化加热材料层；(iv)形成第一凹口贯穿第二介电层及图案化加热材料层，而将图案化加热材料层断开而形成第一加热元件以及第二加热元件；以及(v)形成相变化元件于第一凹口中，且相变化元件接触第一加热元件的边缘及第二加热元件的边缘。在此亦揭露一种相变化记忆体。在此揭露的相变化记忆体具有更高的写入数据速度及可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 记忆体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造相变化记忆体的方法，其特征在于包含以下操作：形成一第一导电接触结构贯穿一第一介电层；形成一图案化加热材料层覆盖该第一导电接触结构的一顶面及一部分的该第一介电层；形成一第二介电层覆盖该图案化加热材料层；形成一第一凹口贯穿该第二介电层及该图案化加热材料层，其中该第一凹口将该图案化加热材料层断开而形成一第一加热元件以及一第二加热元件，该第一加热元件的一底面接触该第一导电接触结构的该顶面；蚀刻该第一凹口内的该第一介电层的一侧壁以及该第二介电层的一侧壁，使该第一凹口进一步延伸至该第一介电层及该第二介电层中，其中该第一加热元件的一边缘凸出该第一介电层的该侧壁以及该第二介电层的该侧壁；以及形成一相变化元件于该第一凹口中，且该相变化元件接触该第一加热元件的该边缘及该第二加热元件的一边缘。
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