[发明专利]基于高次谐波产生法的自由电子激光太赫兹辐射源有效
申请号: | 201610035258.4 | 申请日: | 2016-01-19 |
公开(公告)号: | CN105720460B | 公开(公告)日: | 2019-02-01 |
发明(设计)人: | 何志刚;陆亚林;李伟伟;贾启卡;王琳 | 申请(专利权)人: | 中国科学技术大学 |
主分类号: | H01S1/00 | 分类号: | H01S1/00 |
代理公司: | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人: | 郑立明;赵镇勇 |
地址: | 230026 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于高次谐波产生法的自由电子激光太赫兹辐射源,包括电子枪、辐射体和螺线管磁铁;电子枪与真空管道相连接,辐射体置于真空管道内部,螺线管磁铁包裹在所述真空管道外。辐射体存在由基模到高阶模式的不同的模式,不同的模式对应不同的辐射频率,通过选取辐射体的参数及电子能量,使得辐射体的高阶模式的频率为基模频率的整数倍,即为基模频率的谐波。采用了谐波增强的方法:即使得高阶模式的频率为基模频率的整数倍。可利用参数要求很低的电子束以及大尺寸的波导来产生高功率、高频率的THz辐射源。 | ||
搜索关键词: | 基于 谐波 产生 自由电子 激光 赫兹 辐射源 | ||
【主权项】:
1.一种基于高次谐波产生法的自由电子激光太赫兹辐射源,其特征在于,包括电子枪、辐射体和螺线管磁铁;所述电子枪与真空管道相连接,所述辐射体置于真空管道内部,所述螺线管磁铁包裹在所述真空管道外;所述辐射体包介质波导或返波管;所述电子枪包括阴极、阳极和聚焦极;所述辐射体存在由基模到高阶模式的不同的模式,不同的模式对应不同的辐射频率,通过选取辐射体的参数及电子能量,使得辐射体的高阶模式的频率为基模频率的整数倍,即为基模频率的谐波;当电子通过所述辐射体时将激发出辐射体各模式的电磁辐射,其中基模辐射占主导地位,电子束将被自己激发出来的基模尾场进行能量调制,经过一段距离的相互作用,电子束将在基模频率上实现群聚,从而使得该频率的辐射得到相干增强,同时,由于高阶模式的频率为基模频率的谐波,高阶模式的辐射也将得到相干增强,从而得到高功率、高频率的THz辐射。
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