[发明专利]基于高次谐波产生法的自由电子激光太赫兹辐射源有效

专利信息
申请号: 201610035258.4 申请日: 2016-01-19
公开(公告)号: CN105720460B 公开(公告)日: 2019-02-01
发明(设计)人: 何志刚;陆亚林;李伟伟;贾启卡;王琳 申请(专利权)人: 中国科学技术大学
主分类号: H01S1/00 分类号: H01S1/00
代理公司: 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 代理人: 郑立明;赵镇勇
地址: 230026 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种基于高次谐波产生法的自由电子激光太赫兹辐射源,包括电子枪、辐射体和螺线管磁铁;电子枪与真空管道相连接,辐射体置于真空管道内部,螺线管磁铁包裹在所述真空管道外。辐射体存在由基模到高阶模式的不同的模式,不同的模式对应不同的辐射频率,通过选取辐射体的参数及电子能量,使得辐射体的高阶模式的频率为基模频率的整数倍,即为基模频率的谐波。采用了谐波增强的方法:即使得高阶模式的频率为基模频率的整数倍。可利用参数要求很低的电子束以及大尺寸的波导来产生高功率、高频率的THz辐射源。
搜索关键词: 基于 谐波 产生 自由电子 激光 赫兹 辐射源
【主权项】:
1.一种基于高次谐波产生法的自由电子激光太赫兹辐射源,其特征在于,包括电子枪、辐射体和螺线管磁铁;所述电子枪与真空管道相连接,所述辐射体置于真空管道内部,所述螺线管磁铁包裹在所述真空管道外;所述辐射体包介质波导或返波管;所述电子枪包括阴极、阳极和聚焦极;所述辐射体存在由基模到高阶模式的不同的模式,不同的模式对应不同的辐射频率,通过选取辐射体的参数及电子能量,使得辐射体的高阶模式的频率为基模频率的整数倍,即为基模频率的谐波;当电子通过所述辐射体时将激发出辐射体各模式的电磁辐射,其中基模辐射占主导地位,电子束将被自己激发出来的基模尾场进行能量调制,经过一段距离的相互作用,电子束将在基模频率上实现群聚,从而使得该频率的辐射得到相干增强,同时,由于高阶模式的频率为基模频率的谐波,高阶模式的辐射也将得到相干增强,从而得到高功率、高频率的THz辐射。
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