[发明专利]分层微晶石瓷砖的加工方法

摘要

本发明公开了一种分层微晶石瓷砖的加工方法，包括加工一种分层微晶石瓷砖，它包括微晶石板体，板体包括有至少三层层叠设置的微晶石材料层；其加工方法包括A、将第偶数层微晶石材料层的原料粉碎、配料，熔融冷却形成晶粒，将晶粒分于需要份数的结晶凹模中再结晶；B、将第奇数层的微晶石材料层的原料粉碎、配料，熔融冷却形成晶粒，将晶粒在结晶凹模内，再于晶粒之上再放入晶层，再进行结晶形成晶层对；C、依次重复步骤A和B完成多个晶层对的结晶，再按要求依次在结晶凹模内放入第一至最后一层晶层对，再次进行结晶。本发明可以解决现有微晶石瓷砖不能分成造成层次感差的问题。

主权项

一种分层微晶石瓷砖的加工方法，其特征在于：包括加工一种分层微晶石瓷砖，所述分层微晶石瓷砖包括微晶石板体，所述微晶石板体包括有至少三层层叠设置的微晶石材料层；所述微晶石材料层的原料包括以下重量份的组分：二氧化硅60～70份，碳酸钙16～20份，氧化钙6～10份，氧化锌3～4份，碳酸钡2～3份，氧化硼2～3份；第偶数层所述微晶石材料层的原料还包括有氧化钠1～1.5份；其加工方法包括以下步骤：A、将第偶数层微晶石材料层的原料粉碎、配料，之后在1500°C～1550°C的温度下熔融1.8小时～2.6小时，再自然冷却8小时～10小时，形成晶粒，将晶粒分于需要份数的结晶凹模中，再结晶，结晶温度为1000°C～1020°C，结晶时间为0.5小时，形成第偶数层的晶层；B、将第奇数层的微晶石材料层的原料粉碎、配料，之后在1500°C～1550°C的温度下熔融1.8小时～2.6小时，再自然冷却8小时～10小时，形成晶粒，将晶粒在结晶凹模内，再于所述晶粒之中再插入或所述晶层之上插入步骤A获得的第偶数层晶层，再进行结晶，结晶温度为1000°C～1020°C，结晶时间为0.5小时，形成一对第奇数和第偶数加第奇数层的三晶层对或形成一对第奇数和第偶数层的双晶层对；C、依次重复步骤A和B完成多个晶层对的结晶，再按要求依次在结晶凹模内放入第一至最后一层晶层对，再次进行结晶，结晶温度为1000°C～1020°C，结晶时间为0.8小时，形成微晶石板料；D、对板料使用等离子切割机进行切割、拼图加工，形成微晶石陶瓷板材。