[发明专利]一种QLED及其制备方法、显示装置及其制备方法在审
| 申请号： | 201610037480.8 | 申请日： | 2016-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN105428546A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 舒适;何晓龙;徐威;徐传祥;齐永莲 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供一种QLED及其制备方法、显示装置及其制备方法，涉及显示技术领域，可避免位于量子点层下方的有机材料的功能层被腐蚀，使量子点层均匀成膜。该QLED的制备方法，包括：在衬底基板上依次形成第一电极、第一功能层、量子点层、第二功能层和第二电极，所述第一功能层采用有机材料制成；在形成所述第一功能层之后，形成所述量子点层之前，所述制备方法还包括：形成缓冲层，所述缓冲层的材料为极性有机溶剂；基于此，形成所述量子点层，包括：将包括量子点和非极性有机溶剂的溶液，采用喷墨打印方式形成在所述缓冲层上方；通过蒸发工艺，将溶剂蒸发掉，形成所述量子点层。用于QLED。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 qled 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种QLED的制备方法，包括：在衬底基板上依次形成第一电极、第一功能层、量子点层、第二功能层和第二电极，所述第一功能层采用有机材料制成；其特征在于，在形成所述第一功能层之后，形成所述量子点层之前，所述制备方法还包括：形成缓冲层，所述缓冲层的材料为极性有机溶剂；形成所述量子点层，包括：将包括量子点和非极性有机溶剂的溶液，采用喷墨打印方式形成在所述缓冲层上方；通过蒸发工艺，将溶剂蒸发掉，形成所述量子点层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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