[发明专利]一种衬底输入结构的跨导放大器

摘要

本发明提供一种衬底输入结构的跨导放大器，包括PMOS管M1、M2、M3和M4构成的衬底输入正反馈输入级结构，NMOS管M5、M6、M7、M8和PMOS管M9、M10构成的自偏置有源负载结构，恒流源，跨导放大器补偿电容CC和负载电容CL。本发明分别将输入级中PMOS管M3和M4的衬底和其栅极相连，从而直接将输入信号加在PMOS管M3和M4栅极之上，连接方式非常简单，非理想的寄生效应被降到最小，既能实现提高输入级跨导的思路，又不需要引入RC网络，大大减小了电路设计成本，使得电路非常容易实现，而且没有静态功耗；同时补偿电容的连接方式，将跨导放大器的第一个非主极点推向更高的频率，使得跨导放大器单位增益带宽增加的同时，保持了合适的相位裕度，增强了跨导放大器的稳定性。

主权项

一种衬底输入结构的跨导放大器，其特征在于，包括PMOS管M1、M2、M3和M4构成的衬底输入正反馈输入级结构，NMOS管M5、M6、M7、M8和PMOS管M9、M10构成的自偏置有源负载结构，恒流源，跨导放大器补偿电容CC和负载电容CL；其中，所述PMOS管M1和M2的源极经恒流源接电源电压vdd，PMOS管M1的栅极接M4的源极，PMOS管M2的栅极接M3的源极，PMOS管M2、M3的衬底和M3的栅极接一路差分信号VIN，PMOS管M1、M4的衬底和M4的栅极接另一路差分信号VIP，PMOS管M3的漏极接M7的源极和M5的漏极，PMOS管M4的漏极接M8的源极和M6的漏极，NMOS管M5和M6的源极接地，NMOS管M7的漏极接M9的漏极以及M5、M6、M7、M8的栅极，NMOS管M8的漏极、PMOS管M10的漏极、补偿电容Cc的一端和负载电容CL的一端相互连接形成一个连接节点，且该连接节点为所述跨导放大器的输出端Vout，PMOS管M9和M10的源极接电源电压vdd，补偿电容Cc的另一端接M4的漏极，负载电容CL的另一端接地。