[发明专利]一种Sb2Te3热电材料薄膜湿法刻蚀方法有效

专利信息
申请号: 201610039854.X 申请日: 2016-01-21
公开(公告)号: CN105742477B 公开(公告)日: 2018-01-12
发明(设计)人: 周奇军;魏劲松;魏涛 申请(专利权)人: 中国科学院上海光学精密机械研究所
主分类号: H01L35/34 分类号: H01L35/34;H01L21/465
代理公司: 上海新天专利代理有限公司31213 代理人: 张泽纯,张宁展
地址: 201800 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种Sb2Te3热电材料薄膜湿法刻蚀方法,包括以下步骤在玻璃基片上用磁控溅射的方法镀上一层Sb2Te3热电材料薄膜;采用激光对所制Sb2Te3热电材料薄膜进行直写式激光曝光热作用;采用刻蚀液对激光热作用的薄膜进行选择性湿法刻蚀。本发明的湿法刻蚀方法,具有操作简单、成本低廉、刻蚀速率可控、刻蚀精度高等优点。该湿法刻蚀方法可以用于微纳结构制造,热传感器,热电制冷器件,太阳能电池,相变存储器等领域中的Sb2Te3微纳图形结构加工工艺,促进该热电薄膜在上述领域的应用。
搜索关键词: 一种 sb sub te 热电 材料 薄膜 湿法 刻蚀 方法
【主权项】:
一种Sb2Te3热电材料薄膜湿法刻蚀方法,其特征在于该方法包括以下步骤:a)在玻璃基片上用磁控溅射的方法镀上一层Sb2Te3热电材料薄膜;b)利用激光器对所述的Sb2Te3热电材料薄膜进行直写式曝光热作用;c)采用刻蚀液对激光曝光热作用后的Sb2Te3热电材料薄膜进行湿法刻蚀,将经过激光热作用的区域腐蚀去除,留下激光未作用的区域。
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