[发明专利]一种CMOS基准电压源电路和集成电路装置有效

专利信息
申请号: 201610040058.8 申请日: 2016-01-21
公开(公告)号: CN105487592B 公开(公告)日: 2017-10-10
发明(设计)人: 杨文解 申请(专利权)人: 珠海格力电器股份有限公司
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 北京煦润律师事务所11522 代理人: 周倩
地址: 519070 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种CMOS基准电压源电路和集成电路装置,该电路包括直流电源,分别连接于启动电路、启动电流获取电路和基准电压产生电路;启动电路、启动电流获取电路和基准电压产生电路依次连接、且电源抑制比逐级增大;启动电路,被配置为当直流电源接通时正常启动,并对产生的电流进行一次整流处理,得到启动电流;启动电流获取电路,被配置为获取启动电流并进行二次整流处理,得到基准电流;基准电压产生电路,被配置为获取基准电流并进行三次整流处理后,获取所需基准电压。本发明的方案,可以克服现有技术中功能少、抗干扰性差和适用范围小等缺陷,实现功能多、抗干扰能力强和适用范围大的有益效果。
搜索关键词: 一种 cmos 基准 电压 电路 集成电路 装置
【主权项】:
一种CMOS基准电压源电路,其特征在于,包括:直流电源(VDD)、启动电路(100)、启动电流获取电路(200)和基准电压产生电路(300),其中,所述直流电源(VDD),分别连接于所述启动电路(100)、启动电流获取电路(200)和基准电压产生电路(300);所述启动电路(100)、启动电流获取电路(200)和基准电压产生电路(300)依次连接、且电源抑制比(PSRR)逐级增大;所述启动电路(100),被配置为当所述直流电源(VDD)接通时正常启动,并对产生的电流进行一次整流处理,得到启动电流;所述启动电流获取电路(200),被配置为获取所述启动电流并进行二次整流处理,得到基准电流;所述基准电压产生电路(300),被配置为获取所述基准电流并进行三次整流处理后,获取所需基准电压(VB3);通过启动电路使CMOS基准电压源电路能在各种条件下正常启动,通过获取正常启动后的启动电流并进行整流,从而获得稳定的不受电源供应影响的基准电压;其中,所述启动电路(100),包括:相连的启动模块和第一整流模块;所述第一整流模块,包括:第一PMOS管(M11)、第二PMOS管(M13)、第一NMOS管(M12)、第二NMOS管(M14)和第一上拉电阻(R1);其中,所述第一PMOS管(M11)的栅极,分别与第二PMOS管(M13)的栅极、第二PMOS管(M13)的漏极、以及第二NMOS管(M14)的漏极连接;第一PMOS管(M11)的源极,分别与直流电源(VDD)、启动模块的第一连接端、以及第二PMOS管(M13)的源极连接;第一PMOS管(M11)的漏极,分别与第一上拉电阻(R1)的第一连接端、以及第一NMOS管(M12)的栅极连接;所述第一NMOS管(M12)的漏极,分别与启动模块的第二连接端、以及第二NMOS管(M14)的栅极连接;所述第一上拉电阻(R1)的第二连接端、第一NMOS管(M12)的源极、以及第二NMOS管(M14)的源极均接地。
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