[发明专利]一种采用欠电位沉积技术制备复合铜纳米线的方法

摘要

本发明涉及纳米材料技术领域，具体涉及一种采用欠电位沉积技术制备复合铜纳米线的方法。本发明方法包括多孔阳极氧化铝(AAO)模板的制备；采用电化学沉积制备铜纳米线；在铜纳米线表面利用欠电位沉积金属单原子层。本发明通过欠电位在铜表面沉积金属单原子层，制备复合金属纳米线，防止铜纳米线的氧化，同时降低透明导电材料应用成本，且实验过程简便，能够制备超薄复合金属纳米线，且分散性好、粒径均一。

主权项

一种采用欠电位沉积技术制备复合铜纳米线的方法，其特征在于，包括：步骤1多孔阳极氧化铝模板的制备：先清洗除去高纯铝片表面杂质，再采用碱液去除铝片表面的氧化层，然后采用电镀方式获得粗制多孔阳极氧化铝模板后，将粗制多孔阳极氧化铝模板放入质量分数为1.5‑10％的磷酸溶液中，扩孔至少3分钟，最后用去离子水冲洗干净即得多孔阳极氧化铝模板；步骤2采用电化学沉积制备铜纳米线：配置浓度为0.05mol/L～0.1mol/L的硫酸铜溶液，再加入1‑5克硼酸，得到混合电解液；以多孔阳极氧化铝为工作电极，碳棒为对电极进行电镀沉积铜纳米线，沉积结束后，用去离子水洗净多孔阳极氧化铝模板；步骤3在铜纳米线表面欠电位沉积金属单原子层：将沉积有铜纳米线的多孔阳极氧化铝模板为工作电极，铂丝为对电极，饱和甘汞电极为参比电极，金属化合物溶解于H2SO4中的溶液为电解质溶液，进行欠电位沉积后，取出沉积有铜纳米线的多孔阳极氧化铝模板，放入碱液中，除去模板，离心洗涤至少两次，得到表面沉积有金属单原子层的铜纳米线。