[发明专利]一种氧化钼/碳包覆氮化钛纳米管阵列复合材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201610041627.0 | 申请日： | 2016-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN105655139B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 谢一兵;田芳 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01G11/24 | 分类号： | H01G11/24;H01G11/50;H01G11/86;H01G11/06 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 郑立发 |
| 地址： | 211189 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化钼/碳包覆氮化钛纳米管阵列复合材料及其制备方法和应用，所述材料包括氧化钼纳米膜和碳包覆氮化钛纳米管阵列膜；所述氧化钼纳米膜作为储电活性层，碳包覆氮化钛纳米管阵列膜导电基底层，氧化钼纳米膜完全覆盖在碳包覆氮化钛纳米管阵列膜的表面，形成一体化结构的氧化钼/碳包覆氮化钛纳米管阵列复合材料；所述氧化钼纳米膜具有纳米颗粒组装而成的微孔膜结构，碳包覆氮化钛纳米管阵列具有管壁相连、有序紧密排列的纳米管阵列结构。相对于现有技术，本发明所述材料具有更好导电性和电化学耐腐蚀性，同时，所得材料具有较高的能量密度和功率密度，且充放电循环稳定性好。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化钛纳米管 碳包覆 氧化钼纳米 复合材料 氧化钼 阵列膜 制备方法和应用 充放电循环稳定性 纳米管阵列结构 导电性 导电基底层 微孔膜结构 一体化结构 紧密排列 纳米颗粒 耐腐蚀性 电化学 活性层 储电 管壁 组装 | ||
【主权项】：
1.一种氧化钼/碳包覆氮化钛纳米管阵列复合材料，其特征在于，包括氧化钼纳米膜(1)和碳包覆氮化钛纳米管阵列(2)，所述氧化钼为MoO2 ；所述氧化钼纳米膜(1)作为储电活性层，碳包覆氮化钛纳米管阵列(2)作为导电基底层，氧化钼纳米膜(1)完全覆盖在碳包覆氮化钛纳米管阵列(2)的顶表面，形成一体化结构的氧化钼/碳包覆氮化钛纳米管阵列复合材料；所述氧化钼纳米膜(1)具有纳米颗粒组装而成的微孔膜结构，碳包覆氮化钛纳米管阵列(2)具有管壁相连、有序紧密排列的纳米管阵列结构；所述碳包覆氮化钛纳米管阵列(2)是由氮化钛纳米管以及包覆在氮化钛纳米管内壁面上完整碳层构成，所述完整碳层即为碳包覆层。
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