[发明专利]二极管辅助触发的可控硅器件及其制造方法、集成电路

摘要

本发明公开了一种二极管辅助触发的可控硅器件及其制造方法、集成电路，该器件包括依次设置在P型衬底上的第一P+注入区，第一N+注入区和至少两个N阱区，每一N阱区内均设置有靠近所述第一P+注入区的第二P+注入区和远离所述第一P+注入区的第二N+注入区；还包括金属互联区，用于连接相邻的N阱区内的第二N+注入区和第二P+注入区；第二P+注入区在P型衬底表面形成的图形的面积不全相等且均不大于第一P+注入区在P型衬底表面形成的图形的面积；第二N+注入区在P型衬底表面形成的图形的面积不全相等且均不大于第一N+注入区在P型衬底表面形成的图形的面积。该DTSCR器件在不增加版图面积的基础上降低了泄露电流，缩短了DTSCR器件在VF‑TLP测试中的开启时间。

主权项

一种二极管辅助触发的可控硅器件，其特征在于，包括：依次设置在P型衬底上的第一P+注入区，第一N+注入区和至少两个N阱区，每一N阱区内均设置有靠近所述第一P+注入区的第二P+注入区和远离所述第一P+注入区的第二N+注入区；还包括：金属互联区，用于连接相邻的N阱区内的第二N+注入区和第二P+注入区；其中，所述第二P+注入区在所述P型衬底表面形成的图形的面积不全相等且均不大于所述第一P+注入区在所述P型衬底表面形成的图形的面积；所述第二N+注入区在所述P型衬底表面形成的图形的面积不全相等且均不大于所述第一N+注入区在所述P型衬底表面形成的图形的面积；所述第一P+注入区，第一N+注入区、距所述第一P+注入区最近的第二P+注入区和距所述第一P+注入区最近的第二N+注入区在所述P型衬底表面形成的图形是面积相等且长边长度相等的矩形，且所有所述矩形的中心点的连线垂直于所述长边；所述第二P+注入区和第二N+注入区在所述P型衬底表面形成的图形是宽边长度相等，长边长度沿着远离所述第一P+注入区的方向按照预设比例减小的矩形。