[发明专利]RRAM装置与其形成方法有效
| 申请号： | 201610043803.4 | 申请日： | 2016-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN106611816B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 陈达 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 郭晓宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种RRAM装置与其形成方法，包括：底电极，位于氧化物层中；多个介电凸块，位于氧化物层上，且底电极位于相邻的两个介电凸块之间；电阻转态层，顺应性地位于介电凸块、氧化物层、与底电极上；导电储氧层，位于电阻转态层上；以及氧扩散阻障层，位于导电储氧层上。由于本发明的介电凸块可增加相邻的MIM堆叠的导电储氧层中的来自电阻转态层氧原子的迁移路径，甚至截断相邻的MIM堆叠的导电储氧层，因此可有效改善相邻MIM堆叠互相干扰的问题。 | ||
| 搜索关键词： | rram 装置 与其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种RRAM装置，其特征在于，包括：一底电极，位于一氧化物层中；多个介电凸块，位于该氧化物层上，且该底电极位于相邻的两个介电凸块之间；一电阻转态层，顺应性地位于该介电凸块、该氧化物层、与该底电极上；一导电储氧层，位于该电阻转态层上；以及一氧扩散阻障层，位于该导电储氧层上。
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