[发明专利]一种驱动薄膜晶体管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201610044184.0 申请日: 2016-01-22
公开(公告)号: CN105470311B 公开(公告)日: 2018-09-28
发明(设计)人: 韩媛媛;朱修剑 申请(专利权)人: 昆山国显光电有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L29/10;H01L21/336
代理公司: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 代理人: 彭秀丽
地址: 215300 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供的一种驱动薄膜晶体管,包括:缓冲层,半导体层,栅极绝缘层,栅极,层间绝缘层和源漏极;所述半导体层上包括载流子传输通道,所述的载流子传输通道中设有载流子传输阻碍结构,所述的载流子传输阻碍结构为设置在所述载流子传输通道中的微孔,或者是将载流子传输通道的侧壁设置为不规则形状。所述载流子传输阻碍结构能够起到阻碍载流子运输的作用,可以有效降低驱动TFT开启电流Ion,从而减小像素电路的工作电流。
搜索关键词: 一种 驱动 薄膜晶体管 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种驱动薄膜晶体管,包括:缓冲层(2),设置在基板(1)上;半导体层(3),设置在所述驱动薄膜晶体管区域中的缓冲层(2)上;栅极绝缘层(4),设置在所述缓冲层(2)上,覆盖所述半导体层(3);栅极(5),设置在所述栅极绝缘层(4)上;其特征在于,所述半导体层(3)上包括载流子传输通道(7),所述的载流子传输通道(7)中设有载流子传输阻碍结构;所述载流子传输通道(7)中设置有若干微孔(6),所述微孔(6)能够阻碍载流子的传输;所述微孔(6)的中心线垂直于所述半导体层(3);所述微孔(6)的高度小于等于所述半导体层(3)的厚度。
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