[发明专利]存储器以及位线驱动电路有效
| 申请号： | 201610044389.9 | 申请日： | 2016-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN106997779B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 周世聪;陈永耀;倪昊;殷常伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/24 | 分类号： | G11C16/24;G11C16/34 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储器以及位线驱动电路，所述位线驱动电路包括：第一NMOS晶体管，栅极和漏极连接第一电源端；第一PMOS晶体管，栅极连接第一输入端，源极连接所述第一NMOS晶体管的源极，漏极连接一第一节点；第二NMOS晶体管，栅极连接所述第一输入端，源极连接第二电源端，漏极连接所述第一节点；第二PMOS晶体管，栅极连接第三电源端，漏极连接位线，源极连接所述第一节点。对存储器进行编程操作时，未选中的位线的电压最高为第三电源端的电压与第二PMOS晶体管的阈值电压之和，将未选中的位线的电压钳位住，避免未选中的位线由于电容耦合而形成高电位，从而对存储单元进行误操作。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 以及 驱动 电路 | ||
【主权项】：
一种位线驱动电路，其特征在于，包括：第一NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管的栅极和漏极连接第一电源端；第一PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管的栅极连接第一输入端，源极连接所述第一NMOS晶体管的源极，漏极连接一第一节点；第二NMOS晶体管，所述第二NMOS晶体管的栅极连接所述第一输入端，源极连接第二电源端，漏极连接所述第一节点；第二PMOS晶体管，所述第二PMOS晶体管的栅极连接第三电源端，漏极连接位线，源极连接所述第一节点。
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