[发明专利]光检测装置

摘要

半导体光检测元件(10)包含：多个雪崩光电二极管(APD)，其以盖革模式动作并且形成在半导体基板(1N)内；灭弧电阻(R1)，其相对于各个雪崩光电二极管(APD)串联连接并且配置在半导体基板(1N)的主面(1Na)侧；以及多个贯通电极(TE)，其与灭弧电阻(R1)电连接且从主面(1Na)侧至主面(1Nb)侧为止贯通半导体基板(1N)而形成。搭载基板(20)包含对应于每个贯通电极(TE)而配置在主面(20a)侧的多个电极(E9)。贯通电极(TE)与电极(E9)经由凸点电极(BE)而电连接，且半导体基板(1N)的侧面(1Nc)与玻璃基板(30)的侧面(30c)成为同一平面。

主权项

1.一种半导体光检测元件，其特征在于，是具有包含相互相对的第一及第二主面的半导体基板的半导体光检测元件，所述半导体光检测元件包含：以盖革模式动作并且形成于所述半导体基板内的多个雪崩光电二极管；相对于对应的所述雪崩光电二极管串联连接并且配置于所述半导体基板的第一主面侧的灭弧电阻；电连接有所述多个灭弧电阻的第一电极；及电连接于所述第一电极且自所述第一主面侧至所述第二主面侧为止贯通所述半导体基板而形成的贯通电极，所述多个灭弧电阻经由一个所述第一电极而与一个所述贯通电极电连接，所述多个雪崩光电二极管以分别与所述灭弧电阻串联连接的形式，互相并联连接并电连接于一个所述贯通电极，所述半导体光检测元件具备与所述半导体光检测元件相对配置并且具有与所述半导体基板的所述第一主面相对的主面的玻璃基板。