[发明专利]发光二极管外延片的制备方法及发光二极管外延片有效
| 申请号： | 201610045557.6 | 申请日： | 2016-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN105576090B | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;陈柏松;胡加辉;魏世祯 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片的制备方法及发光二极管外延片，属于半导体技术领域。所述方法包括提供衬底；在衬底上生长一GaN层作为低温缓冲层；低温缓冲层的生长温度为530～560℃；在低温缓冲层上生长又一GaN层作为高温缓冲层；所述高温缓冲层包括依次层叠在所述低温缓冲层上的第一高温缓冲子层和第二高温缓冲子层；所述第一高温缓冲子层的生长温度高于所述第二高温缓冲子层的生长温度，所述第一高温缓冲子层的生长温度为1060～1090℃，所述第二高温缓冲子层的生长温度为1030～1060℃；且所述第一高温缓冲子层的生长速率慢于所述第二高温缓冲子层的生长速率；在所述高温缓冲层上依次生长N型层、有源层、电子阻挡层和P型层，得到发光二极管外延片。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上生长一GaN层作为低温缓冲层；所述低温缓冲层的生长温度为530～560℃；在所述低温缓冲层上生长又一GaN层作为高温缓冲层；所述高温缓冲层包括依次层叠在所述低温缓冲层上的第一高温缓冲子层和第二高温缓冲子层；所述第一高温缓冲子层的生长温度高于所述第二高温缓冲子层的生长温度，所述第一高温缓冲子层的生长温度为1060～1090℃，所述第二高温缓冲子层的生长温度为1030～1060℃；且所述第一高温缓冲子层的生长速率慢于所述第二高温缓冲子层的生长速率；在所述高温缓冲层上依次生长N型层、有源层、电子阻挡层和P型层，得到发光二极管外延片，所述第二高温缓冲子层的生长速率是所述第一高温缓冲子层的生长速率的1.5～3倍。
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