[发明专利]一种纳米晶磁芯的磁场热处理方法在审

专利信息
申请号: 201610046537.0 申请日: 2016-01-22
公开(公告)号: CN105719826A 公开(公告)日: 2016-06-29
发明(设计)人: 朱方梁;江沐风;范星都;沈宝龙;江向荣 申请(专利权)人: 东南大学;朗峰新材料科技股份有限公司
主分类号: H01F41/02 分类号: H01F41/02;C21D1/00;C21D1/26;C22F3/00;C22F1/00
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人: 杨晓玲
地址: 211189 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种纳米晶磁芯的磁场热处理方法。该方法以满足市场应用需求为前提,结合实际生产中已有的工艺条件在热处理中施加横向磁场,且分别从不同的加磁阶段和改变加磁电流大小具体考虑并细化磁场热处理工艺步骤,最终得到从初始保温温度330℃到冷却结束阶段外加横向磁场为最佳加磁方式,加磁电流大小优选为80‑140A;以此为热处理条件的磁芯样品不仅保持了高电感值,而且矫顽力和铁损明显降低,因此磁芯的综合性能更加优异,开拓了纳米晶磁芯产品的市场应用前景。
搜索关键词: 一种 纳米 晶磁芯 磁场 热处理 方法
【主权项】:
一种纳米晶磁芯的磁场热处理方法,其特征在于该方法分三阶段:第一阶段为:磁芯从室温加热30分钟到初始保温温度,即第一晶化起始温度Tx1以下200℃,并保温15分钟,目的在于保证热处理炉炉腔热量均匀;第二阶段为:初始保温结束后加热45分钟到二次保温温度,即α‑Fe(Si)晶粒刚开始析出的温度,并保温60分钟,目的在于增加纳米晶的形核密度,并保证磁芯内外热量均匀,消除磁芯因加热过快而产生内应力;第三阶段为:二次保温结束后加热45分钟到最终保温温度,即Tx1以下40℃到Tx1以上40℃,目的在于保证磁芯完全晶化,保温结束后立即停止加热,并风冷和循环水冷却至室温;热处理过程中从初始保温开始到冷却结束外加横向电磁场,使磁芯在保持高电感的前提下,显著降低其矫顽力和铁损。
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