[发明专利]一种Te基全硫系光波导的制备方法有效
| 申请号： | 201610046599.1 | 申请日： | 2016-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN105549152B | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 沈祥;齐磊;李双;王国祥;徐培鹏;戴世勋;徐铁峰;聂秋华 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | G02B6/13 | 分类号： | G02B6/13;G02B6/132;C23C14/35 |
| 代理公司： | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人： | 周珏 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种Te基全硫系光波导的制备方法，其包括以下步骤：①取一块硫系玻璃作为衬底；然后在硫系玻璃的光滑的上表面上镀设一层Ge‑Sb‑Se硫系薄膜；接着在Ge‑Sb‑Se硫系薄膜上涂覆一层光刻胶；②利用具有所需掩膜结构的掩膜板对步骤①得到的基材进行曝光和显影，得到具有掩膜结构的基材；③在步骤②得到的具有掩膜结构的基材上镀设一层Ge15Ga10Te75硫系薄膜；④将步骤③得到的基材完全浸入有机溶剂中，利用有机溶剂溶解步骤③得到的基材中的光刻胶，同时带走了位于光刻胶上方的Ge15Ga10Te75硫系薄膜，形成Te基全硫系光波导；优点是其制备得到的Te基全硫系光波导具有更宽的光透过范围，且对光具有很好的限域作用，能够有效地减少传输损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 te 基全硫系光 波导 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Te基全硫系光波导的制备方法，其特征在于包括以下步骤：①取一块硫系玻璃作为衬底；然后在硫系玻璃的光滑的上表面上镀设一层Ge‑Sb‑Se硫系薄膜；接着在Ge‑Sb‑Se硫系薄膜上涂覆一层光刻胶；所述的步骤①中Ge‑Sb‑Se硫系薄膜的镀设采用磁控溅射方法，其中，磁控溅射镀膜系统的溅射腔室的真空度为1.5×10‑4帕～2.5×10‑4帕、起辉气压为2.8帕～3.2帕，磁控溅射镀膜系统的溅射气压为0.22帕～0.27帕、溅射功率为25瓦特～30瓦特、溅射时间为2小时～3小时，向磁控溅射镀膜系统的溅射腔室内通入的氩气的体积流量为45sccm～55sccm；②利用具有所需掩膜结构的掩膜板对步骤①得到的基材进行曝光和显影，得到具有掩膜结构的基材；③在步骤②得到的具有掩膜结构的基材上镀设一层Ge15Ga10Te75硫系薄膜；所述的步骤③中Ge15Ga10Te75硫系薄膜的镀设采用磁控溅射方法，其中，磁控溅射镀膜系统的溅射腔室的真空度为1.5×10‑4帕～2.5×10‑4帕、起辉气压为2.8帕～3.2帕，磁控溅射镀膜系统的溅射气压为0.22帕～0.27帕、溅射功率为25瓦特～30瓦特、溅射时间为2小时～3小时，向磁控溅射镀膜系统的溅射腔室内通入的氩气的体积流量为45sccm～55sccm；④将步骤③得到的基材完全浸入有机溶剂中，利用有机溶剂溶解步骤③得到的基材中的光刻胶，同时带走位于光刻胶上方的Ge15Ga10Te75硫系薄膜，形成Te基全硫系光波导。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波大学，未经宁波大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610046599.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种光缆剥皮装置
- 下一篇：介质薄膜透射型空间窄带滤光片组合器件
