[发明专利]阻变存储装置的测试方法和测试设备有效

专利信息
申请号: 201610046802.5 申请日: 2016-01-22
公开(公告)号: CN105741869B 公开(公告)日: 2018-05-01
发明(设计)人: 李辛毅;吴华强;钱鹤;马向超 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所11105 代理人: 彭久云,王锐
地址: 10008*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明实施例提供一种阻变存储装置的测试方法和测试设备。该测试方法包括编程步骤在第一存储单元组和第二存储单元组中有至少一组处于高阻状态或初始状态的情况下,对第一存储单元组和第二存储单元组中的一组进行编程操作以改变所述组中的阻变存储单元的阻态,其中,在所述编程操作期间未经历所述编程操作的另一组保持为初始状态或高阻状态;以及检测步骤对上述编程步骤中经历了所述编程操作的至少一个阻变存储单元执行读出操作以得到指示该至少一个所述阻变存储单元是否合格的信息,其中,在执行所述读出操作期间,未经历所述编程操作的另一组保持为初始状态或高阻状态。
搜索关键词: 存储 装置 测试 方法
【主权项】:
一种阻变存储装置的测试方法,所述阻变存储装置包括成阵列排布的多个阻变存储单元,所述阵列包括在第一方向上交替排布的至少一个奇数行和至少一个偶数行;以及在不同于所述第一方向的第二方向上交替排布的至少一个奇数列和至少一个偶数列,所述多个阻变存储单元可分为第一存储单元组和第二存储单元组,其中,所述第一存储单元组中的每个阻变存储单元的行号和列号之和为偶数,所述第二存储单元组中的每个阻变存储单元的行号和列号之和为奇数,每个阻变存储单元设计为具有初始状态、高阻状态和低阻状态,所述测试方法包括以下步骤:编程步骤:在所述第一存储单元组和所述第二存储单元组中有至少一组处于高阻状态或初始状态的情况下,对所述第一存储单元组和所述第二存储单元组中的一组进行编程操作以改变所述组中的阻变存储单元的阻态,其中,在所述编程操作期间未经历所述编程操作的另一组保持为初始状态或高阻状态;以及检测步骤:对上述编程步骤中经历了所述编程操作的至少一个阻变存储单元执行读出操作以得到指示该至少一个所述阻变存储单元是否合格的信息,其中,在执行所述读出操作期间,未经历所述编程操作的另一组保持为初始状态或高阻状态,其中,所述初始状态为另一高阻状态,其中,所述编程操作为形成操作、重置操作或设置操作,所述形成操作设计为将所述阻变存储单元由初始状态切换到低阻状态;所述重置操作设计为将所述阻变存储单元由低阻状态切换到高阻状态;所述设置操作设计为将所述阻变存储单元由高阻状态切换到低阻状态,其中,在所述低阻状态的所述阻变存储单元的阻值小于在所述高阻状态或所述初始状态的所述阻变存储单元的阻值。
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