[发明专利]晶片衬底移除有效
| 申请号： | 201610047939.2 | 申请日： | 2016-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN105826302B | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 达恩·卡罗瑟斯;拉贾尔什·穆霍帕德亚;保罗·布罗林;本杰明·库克 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请案涉及晶片衬底移除。半导体装置形成在半导体衬底上，包含所述衬底的主要部分。所述半导体装置的有源组件安置在所述衬底的所述主要部分中。互连区形成在所述衬底的顶部表面上。在隔离区中将半导体材料从所述衬底移除，所述隔离区与所述衬底的所述主要部分分开；所述隔离区从所述衬底的所述顶部表面延伸至所述衬底的底部表面。介质替换材料形成在所述隔离区中。所述半导体装置进一步包含未安置在所述衬底的所述主要部分中的隔离组件。所述隔离区中的所述介质替换材料将所述隔离组件与所述衬底的所述主要部分分开。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其包括：衬底，其包括半导体材料，所述衬底具有主要部分；有源组件，其安置在所述衬底的所述主要部分中；互连区，其安置在所述衬底的顶部表面上；隔离区，其与所述衬底的所述主要部分分开，所述隔离区从所述衬底的所述顶部表面延伸至所述衬底的底部表面，所述隔离区无所述半导体材料，所述互连区在所述隔离区上方连续；介质替换材料，其安置在所述隔离区中，其中所述介质替换材料未完全覆盖所述衬底的所述底部表面；和隔离组件，其通过所述隔离区中的所述介质替换材料与所述衬底的所述主要部分分开。
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