[发明专利]液相合成的超薄无机钙钛矿CsPbBr3纳米片可见光探测器在审
申请号: | 201610048282.1 | 申请日: | 2016-01-22 |
公开(公告)号: | CN105633189A | 公开(公告)日: | 2016-06-01 |
发明(设计)人: | 宋继中;董宇辉;李建海;薛洁;许蕾梦;王涛;曾海波 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/032;B82Y30/00 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 邹伟红;朱显国 |
地址: | 210094 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种液相合成的超薄无机钙钛矿CsPbBr3纳米片可见光探测器,包括如下步骤:在干净的PET柔性衬底上沉积电极层;刻蚀沉积的电极层得到电极;取CsPbBr3纳米片的分散液在电极上成膜,制成所述的柔性的可见光探测器。该柔性可见光探测器表现出优异的性能,在532 nm的辐照下开关比大于103,且响应速度很快,达到微秒级别。其柔性性能优异,弯折多次性能依然稳定。 | ||
搜索关键词: | 相合 超薄 无机 钙钛矿 cspbbr3 纳米 可见光 探测器 | ||
【主权项】:
一种CsPbBr3纳米片可见光探测器,其特征在于,由如下步骤制备:1)在干净的PET柔性衬底上沉积电极层;2)刻蚀沉积的电极层得到电极;3)取CsPbBr3纳米片的分散液在电极上成膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的