[发明专利]基于单层石墨烯和布拉格光栅的光谱选择性吸收器在审
申请号: | 201610049854.8 | 申请日: | 2016-01-25 |
公开(公告)号: | CN105572865A | 公开(公告)日: | 2016-05-11 |
发明(设计)人: | 吴俊;周常河;李民康;项长铖 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
主分类号: | G02B27/00 | 分类号: | G02B27/00;G02B5/00 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 张泽纯;张宁展 |
地址: | 201800 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种基于石墨烯单层和布拉格光栅的超窄带TE偏振光谱选择性吸收器,该吸收器包括自上而下的电介质光栅层,单层石墨烯和布拉格光栅层,所述电介质光栅层的周期、脊宽和厚度分别为574~576纳米、548~550纳米和219~221纳米,所述布拉格光栅层由至少20对的低折射率电介质平板和高折射率电介质平板组成,低折射率电介质平板的厚度为340~350纳米,高折射率电介质平板的厚度为165~175纳米。本发明可以由光学全息记录技术或电子束直写装置结合微电子深刻蚀工艺加工而成,取材方便,造价小,能大批量生产,具有重要的实用前景。 | ||
搜索关键词: | 基于 单层 石墨 布拉格 光栅 光谱 选择性 吸收 | ||
【主权项】:
一种用于光通信波段的基于石墨烯单层和布拉格光栅的超窄带TE偏振光谱选择性吸收器,其特征在于该吸收器包括自上而下的电介质光栅层(2)、单层石墨烯(3)和布拉格光栅层(4),所述电介质光栅层的周期、脊宽和厚度分别为574~576纳米、548~550纳米和219~221纳米,所述布拉格光栅层由至少20对的低折射率电介质平板和高折射率电介质平板组成,低折射率电介质平板的厚度为340~350纳米,高折射率电介质平板的厚度为165~175纳米。
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