[发明专利]一种全背电极太阳电池超低表面浓度前表面场的制备方法

摘要

本发明公开了一种全背电极太阳电池超低表面浓度前表面场的制备方法，采用直接磷源法形成前表面场和钝化氧化层，包括步骤在800℃‑810℃于氮气和氧气气氛中装硅片进舟，再在800℃‑950℃于氮气、氧气以及携带磷源的氮气气氛中进行磷源沉积，接着在800℃‑950℃于氮气加氧气气氛中氧化推进，然后在氮气气氛中于800℃‑810℃出舟。所得前表面场的表面浓度可达1E18cm‑3到5E18cm‑3，结深为0.1μm‑0.2μm。应用本发明所述超低表面浓度前表面场的IBC电池，其短波段的内量子效率高达95%以上。

主权项

一种全背电极太阳电池超低表面浓度前表面场的制备方法，其特征在于，包括步骤：在800℃‑810℃于氮气和氧气气氛中装硅片进舟，再在800℃‑950℃于氮气、氧气以及携带磷源的氮气气氛中进行磷源沉积，接着在800℃‑950℃于氮气加氧气气氛中氧化推进，然后在氮气气氛中于800℃‑810℃出舟，所述磷源沉积步骤中磷源流量小于氧气流量，所述装硅片进舟步骤中氮气的流量远大于氧气的流量。